Connectivity 및 Power Solution의 선도적인 글로벌 공급업체인 Qorvo는  9.4mΩ부터 시작하는 RDS(on)의 소형 E1B 패키지로 제공되는 4개의 1200V 실리콘 카바이드(SiC) 모듈(하프 브리지 2개 및 풀 브리지 2개)을 발표했습니다. 이 고효율 SiC 모듈은 전기 자동차(EV) 충전소, 에너지 저장, 산업용 전원 공급 장치 및 태양광 발전 애플리케이션에 탁월한 솔루션입니다.

“이 새로운 제품군의 모듈은 최대 4개의 개별 SiC FET를 대체할 수 있으므로 열 기계 설계와 조립을 간소화할 수 있습니다. 또한 캐스코드 기술을 통해 더 높은 스위칭 주파수 작동이 가능하므로 더 작은 외부 부품을 사용하여 솔루션 크기를 더욱 줄일 수 있습니다."라고 Qorvo의 SiC 전력 제품 사업부 제품 라인 마케팅 이사인 Ramanan Natarajan은 말합니다. “이 모듈의 높은 효율성은 전원 공급 장치 설계 프로세스를 간소화하여 고객이 수많은 개별 부품 대신 하나의 모듈의 설계, 레이아웃, 조립, 특성화 및 검증에 집중할 수 있도록 합니다.”

9.4mΩ UHB100SC12E1BC3N을 필두로 하는 이 네 가지 SiC 모듈은 특히 소프트 스위칭 애플리케이션에서 RDS(on) 및 스위칭 손실을 최소화하여 효율성을 극대화하는 Qorvo의 고유한 캐스코드 구성을 활용합니다. 실버 신터 다이 어태치먼트는 열 저항을 0.23°C/W까지 낮추고, “SC” 부품 번호에 있는 적층 다이 구조와 결합하면 전력 사이클링 성능이 시중의 동급 SiC 전력 모듈보다 2배 향상됩니다. 이러한 특성은 고집적 SiC 전력 모듈의 사용 편의성 및 전력 밀도와 함께 우수한 열 성능 및 신뢰성에 기여합니다.

The table below provides a snapshot of Qorvo's new 1200V SiC module family:

Part #	Description	RDS(on) @25C (mΩ)
UFB15C12E1BC3N	1200V, 15A SiC full-bridge module	70
UFB25SC12E1BC3N	1200V, 25A SiC full-bridge module	35
UHB50SC12E1BC3N	1200V, 50A SiC half-bridge module	19
UHB100SC12E1BC3N	1200V, 100A SiC half-bridge module	9.4

Qorvo's suite of powerful design tools like its FET-Jet Calculator and QSPICE™ software aid in product selection and performance simulation. For more information about Qorvo's advanced SiC solutions for industrial applications, please visit www.qorvo.com/go/sic.